打印页面
不再進貨
产品概述
The PMD16K100 is a 100V Silicon NPN Darlington Power Transistor having monolithic epitaxial base structures with built-in base to emitter shunt resistors. The transistor is CVD glass passivated to increase reliability and provide reduced high temperature reverse leakage current. Internal diode protection of the Darlington configuration is built into the structure to limit the device power dissipation during negative overshoot.
- Low thermal resistance for more useable power
- Hermetically sealed
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
225W
射频晶体管封装
TO-3
直流电流增益, hFE
1000hFE
工作温度最高值
200°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
20A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000766