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GD150HFX65C1S
IGBT模块, 半桥, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module
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产品概述
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技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.45V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
Trench Field Stop
产品范围
-
连续集电极电流
180A
功率耗散
437W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
650V
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.3