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GD150HFY120C1S
IGBT模块, 半桥, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY439.620 (CNY496.7706) |
| 5+ | CNY413.020 (CNY466.7126) |
| 10+ | CNY383.700 (CNY433.581) |
| 50+ | CNY364.020 (CNY411.3426) |
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD150HFY120C1S
库存编号2986061
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流230A
集电极-发射极饱和电压2V
功率耗散746W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术Trench Field Stop
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
Starpower IGBT模块和阵列具有超低传导损耗和耐短路性能。设计用于通用逆变器和UPS等应用。采用Trench IGBT技术, 最高结温175°C, 隔离铜基板采用DBC技术。
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
2V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
Trench Field Stop
产品范围
-
连续集电极电流
230A
功率耗散
746W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
GD150HFY120C1S 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.152861