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GD200HFY120C8S
IGBT模块, 半桥, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
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|---|---|
| 1+ | CNY516.580 (CNY583.7354) |
| 5+ | CNY485.320 (CNY548.4116) |
| 10+ | CNY450.860 (CNY509.4718) |
| 50+ | CNY427.750 (CNY483.3575) |
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD200HFY120C8S
库存编号3549243
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流309A
集电极-发射极饱和电压1.7V
功率耗散1.006kW
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术Trench Field Stop
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
警告
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技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.7V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
Trench Field Stop
产品范围
-
连续集电极电流
309A
功率耗散
1.006kW
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.3