打印页面
GD50HFX170C1S
IGBT模块, 半桥, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Module
9 有货
需要更多？
9 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY336.230 (CNY379.9399) |
| 5+ | CNY310.250 (CNY350.5825) |
| 10+ | CNY283.520 (CNY320.3776) |
| 50+ | CNY267.990 (CNY302.8287) |
| 100+ | CNY263.280 (CNY297.5064) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY336.23 (CNY379.94 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.85V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
Trench
产品范围
-
连续集电极电流
100A
功率耗散
418W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.7kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2022)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.15