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GD50HFX65C1S
IGBT模块, 半桥, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY244.920 (CNY276.7596) |
| 5+ | CNY230.100 (CNY260.013) |
| 10+ | CNY213.760 (CNY241.5488) |
| 50+ | CNY202.800 (CNY229.164) |
| 100+ | CNY197.920 (CNY223.6496) |
包装规格：每个
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD50HFX65C1S
库存编号3912062
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流75A
集电极-发射极饱和电压1.45V
功率耗散205W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压650V
IGBT技术Trench
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2022)
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.45V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
Trench
产品范围
-
连续集电极电流
75A
功率耗散
205W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
650V
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2022)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.15