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GD75HFU120C1S
IGBT模块, 半桥, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
GD75HFU120C1S 的替代之选
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技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
3.1V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
NPT IGBT [标准]
产品范围
Startech Laptop Privacy Filter
连续集电极电流
150A
功率耗散
658W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2022)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.15