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GD75HFU120C1SD
IGBT模块, 半桥, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY295.600 (CNY334.028) |
| 5+ | CNY277.710 (CNY313.8123) |
| 10+ | CNY258.000 (CNY291.540) |
| 50+ | CNY244.770 (CNY276.5901) |
| 100+ | CNY238.880 (CNY269.9344) |
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD75HFU120C1SD
库存编号4312704
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流100A
集电极-发射极饱和电压2.8V
功率耗散484W
工作温度最高值125°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺丝
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术NPT 超快 IGBT
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
2.8V
工作温度最高值
125°C
IGBT端接
螺丝
IGBT技术
NPT 超快 IGBT
产品范围
-
连续集电极电流
100A
功率耗散
484W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.15