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GD75HFX65C1S
IGBT模块, 半桥, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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|---|---|
| 1+ | CNY268.330 (CNY303.2129) |
| 5+ | CNY252.090 (CNY284.8617) |
| 10+ | CNY234.190 (CNY264.6347) |
| 50+ | CNY222.190 (CNY251.0747) |
| 100+ | CNY216.840 (CNY245.0292) |
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD75HFX65C1S
库存编号3912063
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流100A
集电极-发射极饱和电压1.45V
功率耗散258W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压650V
IGBT技术Trench
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2022)
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.45V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
Trench
产品范围
-
连续集电极电流
100A
功率耗散
258W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
650V
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2022)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.15