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MD200HFR120C2S
碳化硅MOSFET, 碳化硅, 半桥, 双N通道, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, Module
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产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号MD200HFR120C2S
库存编号2986056
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续299A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0087ohm
晶体管封装类型Module
针脚数-
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
Starpower IGBT模块和阵列具有超低传导损耗和耐短路性能。设计用于通用逆变器和UPS等应用。采用Trench IGBT技术, 最高结温175°C, 隔离铜基板采用DBC技术。
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
299A
漏源接通状态电阻
0.0087ohm
针脚数
-
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
-
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.462664