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EVSTDRIVEG600DM
演示板, STDRIVEG600, 半桥GaN栅极驱动器
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产品信息
制造商产品编号EVSTDRIVEG600DM
库存编号3779048
技术数据表
硅芯制造商STMicroelectronics
硅芯号STDRIVEG600
套件应用类型电源管理
应用系统子类型半桥GaN栅极驱动器
套件内容演示板 STDRIVEG600
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
STDRIVEG600 600V半桥高速栅极驱动器（含功率MOSFET）演示板。STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高压N沟道功率MOSFET或增强模式GaN HEMT而优化。 该器件集成了自举二极管，可为外部开关提供高达 20 V 的供电。EVSTDRIVEG600DM 评估板易于使用且快速适配，用于评估 STDRIVEG600 驱动带快速恢复二极管的 600V MDmesh DM2 功率 MOSFET 的特性。 该板提供板载可编程死区时间发生器和 3.3 V 线性稳压器，用于为微控制器等外部逻辑控制器供电。此外还预留了备用焊盘，以便根据最终应用定制电路板，例如独立输入信号或单 PWM 信号、使用可选的外部自举二极管、为 VCC、PVCC 或 BOOT 提供独立电源，以及在峰值电流模式拓扑中使用低侧分流电阻。
- 采用 600V STDRIVEG600 栅极驱动器的半桥拓扑
- 配备 115mΩ 600V MDmesh DM2 功率 MOSFET STL33N60DM2（带快速恢复二极管）
- 采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装的 MOSFET，具有开尔文源极或替代 DPAK 封装
- 最高 450V 的高压总线（受电容器额定值限制）
- 4.75 至 20V VCC 栅极驱动器供电电压
- 板载可调死区时间发生器
- 也可使用带外部死区的独立输入
- 板载 3.3V 稳压器，用于为外部电路供电
- 20°C/W结温至环境热阻，用于评估大功率拓扑结构
- 可选低侧分流
技术规格
硅芯制造商
STMicroelectronics
套件应用类型
电源管理
套件内容
演示板 STDRIVEG600
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
硅芯号
STDRIVEG600
应用系统子类型
半桥GaN栅极驱动器
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.08