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IRF630
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY5.550 (CNY6.2715) |
| 100+ | CNY5.390 (CNY6.0907) |
| 500+ | CNY4.570 (CNY5.1641) |
| 1000+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 5000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
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产品概述
STMicroelectronics公司的IRF630是一款通孔200V N通道网格覆盖II功率MOSFET, TO-220封装. 该功率MOSFET采用该公司MESH OVERLAY工艺设计, 基于统一带状布局, 该工艺匹配并改善了性能. 具有极高的dv/dt能力, 极低的内部电容与最小化栅极电荷.
- 漏极至源极电压 (Vds)为200V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流 (Id): 9A
- 功耗 (Pd): 75W
- 工作结温范围: -65°C至150°C
- 栅极阈值电压为3V
- 350mohm低导通电阻, Vgs 10V
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.4ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
IRF630 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002931