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制造商产品编号M24512-DRDW8TP/K
库存编号3132518RL
技术数据表
产品信息
制造商产品编号M24512-DRDW8TP/K
库存编号3132518RL
技术数据表
存储器容量512Kbit
存储密度512Kbit
记忆配置64K x 8位
EEPROM 内存配置64K x 8位
存储器接口类型串行I2C (2-线)
接口I2C
时钟频率1MHz
时钟频率最大值1MHz
封装类型TSSOP
IC 外壳 / 封装TSSOP
针脚数8引脚
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值5.5V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围512Kbit I2C Serial EEPROM
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
M24512-DRDW8TP/K 是一款 512-Kbit 串行 I²C 总线 EEPROM(电可擦除可编程存储器),最高温度可达 105°C。它符合 AEC-Q100 2 级规定的可靠性水平。该器件可通过简单的 I2C 兼容串行接口访问,最高运行频率可达 1MHz。存储器阵列基于先进的真正 EEPROM 技术。它是一种字节可更改存储器(64K × 8 位),分为 512 页,每页 128 个字节,其中的嵌入式纠错码逻辑大大提高了数据完整性。它还提供一个额外的识别页(128 字节),可读取 ST 设备标识。该页面还可用于存储敏感的应用参数,这些参数可在只读模式下永久锁定。
- VCC = 1.7V 至 5.5V
- 兼容以下 I2C 总线模式:1MHz、400KHz 和 100KHz
- 64K 字节 EEPROM,128 字节页面大小,额外的可写锁定页面(识别页面)
- 温度范围: -40°C到105°C
- 施密特触发输入, 用于过滤噪声
- 写入周期时间短:4 ms内完成字节写入,4 ms内完成页面写入
- 写入周期耐久性:4/1.2/9 亿次写入循环,温度为 25/85/105°C
- 数据保存:105°C 时超过 50 年,55°C 时超过 200 年
- 静电放电保护(人体模型) 4000V
- 8 引脚 TSSOP(169 mil 宽)封装,温度范围为 -40 至 105°C
技术规格
存储器容量
512Kbit
记忆配置
64K x 8位
存储器接口类型
串行I2C (2-线)
时钟频率
1MHz
封装类型
TSSOP
针脚数
8引脚
电源电压最大值
5.5V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
512Kbit I2C Serial EEPROM
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
512Kbit
EEPROM 内存配置
64K x 8位
接口
I2C
时钟频率最大值
1MHz
IC 外壳 / 封装
TSSOP
电源电压最小值
1.7V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
MSL
MSL 3 - 168小时
M24512-DRDW8TP/K 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423275
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00035