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数量 | 价钱 (含税) |
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1+ | CNY94.870 (CNY107.2031) |
5+ | CNY83.340 (CNY94.1742) |
10+ | CNY71.810 (CNY81.1453) |
50+ | CNY69.170 (CNY78.1621) |
100+ | CNY66.520 (CNY75.1676) |
250+ | CNY63.870 (CNY72.1731) |
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多件: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
30A
漏源接通状态电阻
0.072ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HU3PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
185W
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001