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SCT30N120
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
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| 50+ | CNY138.330 (CNY156.3129) |
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产品信息
制造商产品编号SCT30N120
库存编号2451116
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续40A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型HiP247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散270W
工作温度最高值200°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.08ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.6V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
270W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008051