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数量 | 价钱 (含税) |
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5+ | CNY277.060 (CNY313.0778) |
10+ | CNY229.560 (CNY259.4028) |
50+ | CNY205.820 (CNY232.5766) |
100+ | CNY189.980 (CNY214.6774) |
包装规格:每个
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多件: 1
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
60A
漏源接通状态电阻
0.035ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
3V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
389W
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00608