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STB12NK80ZT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 5.25 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY19.180 (CNY21.6734) |
| 100+ | CNY18.890 (CNY21.3457) |
| 500+ | CNY18.600 (CNY21.018) |
| 1000+ | CNY16.840 (CNY19.0292) |
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产品信息
制造商产品编号STB12NK80ZT4
库存编号1751974
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续5.25A
漏源接通状态电阻0.75ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散190W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 800V, 10.5A N-channel zener protected SuperMESH™ power MOSFET in 3 pin D2PAK package
- Extremely high dv/dt capability
- Improved ESD capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing reliability
- Suitable for switching applications
- Achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.25A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
190W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.75ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814