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STB12NM50T4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
产品信息
制造商产品编号STB12NM50T4
库存编号2344094RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds550V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.3ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散160W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STB12NM50T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET designed as MOSFET technology that associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics.
- High dV/dt and avalanche capabilities
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Tight process control and high manufacturing yields
- Low gate input resistance
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
550V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00197