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STB7NK80ZT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
产品信息
制造商产品编号STB7NK80ZT4
库存编号1752012RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续2.6A
漏源接通状态电阻1.5ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散125W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STB7NK80ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002034