打印页面
STB8NM60T4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
1,321 有货
需要更多？
700 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
621 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.450 (CNY12.9385) |
| 10+ | CNY11.330 (CNY12.8029) |
| 100+ | CNY11.200 (CNY12.656) |
| 500+ | CNY11.080 (CNY12.5204) |
| 1000+ | CNY10.950 (CNY12.3735) |
| 5000+ | CNY10.740 (CNY12.1362) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY11.45 (CNY12.94 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The STB8NM60T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.9ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001921