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STGB20NB41LZT4
IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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产品信息
制造商产品编号STGB20NB41LZT4
库存编号2353662
技术数据表
连续集电极电流40A
集电极-发射极饱和电压1.3V
功率耗散200W
最大集电极发射电压412V
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装表面安装
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STGB20NB41LZT4 is an internally clamped PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The built-in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter Zener supplies an ESD protection.
- Polysilicon gate voltage driven
- Low threshold voltage
- Low on-voltage drop
- Low gate charge
- High current capability
- High voltage clamping
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
200W
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极-发射极饱和电压
1.3V
最大集电极发射电压
412V
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001