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STL20N6F7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号STL20N6F7
库存编号3132750RL
产品范围STripFET F7
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.0046ohm
晶体管封装类型PowerFLAT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散78W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围STripFET F7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0046ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
STripFET F7
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000075