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STL90N6F7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 90 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY13.610 (CNY15.3793) |
| 10+ | CNY9.440 (CNY10.6672) |
| 100+ | CNY7.490 (CNY8.4637) |
| 500+ | CNY7.140 (CNY8.0682) |
| 1000+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 5000+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
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产品信息
制造商产品编号STL90N6F7
库存编号2849657
产品范围STripFET F7
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻0.0046ohm
晶体管封装类型PowerFLAT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散94W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 60V, 90A N-channel STripFET F7 power MOSFET in a 8 pin PowerFLAT 5x6 package
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
94W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0046ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
STripFET F7
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002