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STP10NK60Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.790 (CNY13.3227) |
| 100+ | CNY11.640 (CNY13.1532) |
| 500+ | CNY11.610 (CNY13.1193) |
| 1000+ | CNY11.570 (CNY13.0741) |
| 5000+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
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产品概述
The STP10NK60Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- Extremely high dV/dt capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
115W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.75ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002