打印页面
可订购
制造商标准交货时间:23 周
有货时请通知我
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY29.580 (CNY33.4254) |
10+ | CNY17.280 (CNY19.5264) |
100+ | CNY16.280 (CNY18.3964) |
500+ | CNY15.280 (CNY17.2664) |
1000+ | CNY14.280 (CNY16.1364) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY29.58 (CNY33.43 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商产品编号STPSC12065D
库存编号3397857
技术数据表
产品范围-
二极管配置单
反向重复峰值电压650V
平均正向电流12A
总电容充电36nC
二极管封装类型TO-220AC
引脚数2引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装通孔安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
STPSC12065D is a 650V, 12A power Schottky silicon carbide diode in a 2 pin TO-220AC package. The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. It is used in DC/DC converter, high frequency inverter, snubber and boost PFC function.
- Forward voltage drop of 1.30V at IF = 12A
- Maximum operating junction temperature of 175°C
- No or negligible reverse recovery
- Switching behaviour independent of temperature
- High forward surge capability
- D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38mm min
- ECOPACK2 compliant
- Power efficient
技术规格
产品范围
-
反向重复峰值电压
650V
总电容充电
36nC
引脚数
2引脚
二极管安装
通孔安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
二极管配置
单
平均正向电流
12A
二极管封装类型
TO-220AC
工作温度最高值
175°C
合规
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00187