打印页面
189 有货
需要更多?
189 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY72.400 (CNY81.812) |
10+ | CNY42.900 (CNY48.477) |
100+ | CNY38.800 (CNY43.844) |
500+ | CNY38.730 (CNY43.7649) |
1000+ | CNY37.960 (CNY42.8948) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY72.40 (CNY81.81 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
STW34NM60N 是一款MDmesh™ II N沟道功率MOSFET, 低输入电容和栅极电荷。该器件采用第二代MDmesh™技术开发。该器件具有竖直结构, 低导通电阻。适用于要求苛刻的高效率转换器应用。
- 100%经过雪崩测试
- 低栅极输入电阻
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
29A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
210W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.092ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
STW34NM60N 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.011068