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STW56N60M2-4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, 通孔
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产品信息
制造商产品编号STW56N60M2-4
库存编号3132769
产品范围MDmesh M2
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续52A
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散350W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围MDmesh M2
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
STW56N60M2-4 is a N-channel, 600V, 45mohm typ, 52A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package. This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
- Operating junction temperature of 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
52A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
350W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
MDmesh M2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
STW56N60M2-4 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035