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最低: 1
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品項附註
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产品概述
- 600V, 66A N-channel MDmesh™ DM2 power MOSFET in 3 pin TO-247 package
 - Fast recovery body diode
 - Extremely low gate charge and input capacitance
 - 100% avalanche tested
 - Extremely high dv/dt ruggedness
 - Zener protected
 - Suitable for switching applications
 - Very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on Low on-resistance
 - Suitable for the most demanding high efficiency converters
 - Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters
 
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
66A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
446W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.037ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00443