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产品概述
The TS27M2IDT is a low-power dual CMOS Operational Amplifier ideally suited for low consumption applications. This operational amplifier uses the ST silicon gate CMOS process allowing an excellent consumption-speed ratio. This CMOS amplifier offers very high input impedance and extremely low input currents. The major advantage versus JFET devices is the very low input currents drift with temperature.
- Excellent phase margin on capacitive load
- Output voltage swing to ground
- 1mA/amplifier Very low power consumption
- ±18V Differential input voltage
技术规格
通道数
2放大器
典型压摆率
0.6V/µs
IC 外壳 / 封装
SOIC
放大器类型
低功耗
输入偏移电压
1.1mV
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
汽车质量标准
-
放大器数量
2个放大器
增益带宽积
1MHz
电源电压范围
3V 至 16V
针脚数
8引脚
轨至轨
-
输入偏置电流
1pA
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
放大器封装类型
SOIC
带宽
1MHz
摆率
0.6V/µs
TS27M2IDT 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Morocco
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量(千克):.0002