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ULN2004D1013TR
林顿晶体管, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, NSOIC, 16 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 100+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 500+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 1000+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
| 5000+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
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产品信息
制造商产品编号ULN2004D1013TR
库存编号1564361
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo50V
功耗 Pd-
集电极直流电流500mA
射频晶体管封装NSOIC
针脚数16引脚
晶体管封装类型SOIC
直流电流增益, hFE1000hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值85°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
高电压, 高电流达林顿阵列, 每个包含7个开集达林顿对, 共发射极。适用于继电器驱动器, 步进和DC有刷电机驱动器, 灯驱动器, 显示器驱动器 (LED或GDT), 线路驱动器和逻辑缓冲器。
- 带有抑制二极管, 用于感性负载
- 输出可以并联, 以输出更高的电流
- TTL/CMOS/PMOS/DTL兼容输入
- 输入引脚的位置在输出引脚的对面, 以简化布局
- Output leakage current is 50µA typical at (VCE = 50V)
- 25pF typical input capacitance
- 0.9V typical collector-emitter saturation voltage
- 1µs typical turn-on and turn off delay time
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
- SO-16 package
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
-
射频晶体管封装
NSOIC
晶体管封装类型
SOIC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极直流电流
500mA
针脚数
16引脚
直流电流增益, hFE
1000hFE
工作温度最高值
85°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000304