打印页面
VND7NV04TR-E
功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
4,892 有货
需要更多？
4892 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.030 (CNY19.2439) |
| 10+ | CNY12.260 (CNY13.8538) |
| 100+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 500+ | CNY8.080 (CNY9.1304) |
| 1000+ | CNY7.480 (CNY8.4524) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY17.03 (CNY19.24 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
- 45V, 12A N-channel OMNIFET II fully autoprotected power MOSFET in 3 pin TO-252 package
- Linear current limitation
- Built-in thermal shutdown, short circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European directive
- Intended for replacement of standard power MOSFETs from DC up to 50KHz applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
60W
工作温度最高值
-
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
500mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000409