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产品信息
制造商产品编号VNN1NV04PTR-E
库存编号2341720RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds45V
电流, Id 连续1.7A
漏源接通状态电阻0.25ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值500mV
功率耗散7W
针脚数4引脚
工作温度最高值-°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
7W
工作温度最高值
-°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
500mV
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
VNN1NV04PTR-E 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000342