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VNP35N07-E
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 18 A, 0.028 ohm, TO-220, 通孔
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| 1000+ | CNY21.140 (CNY23.8882) |
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产品信息
制造商产品编号VNP35N07-E
库存编号1739428
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散125W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
VNP35N07-E 是一款采用 VIPower 技术制造的 70V 全自动保护型功率 MOSFET，用于替代直流至 50KHz 应用中的标准功率 MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
- 车用级别
- 线性电流限制
- 过热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚的电流非常低
- 输入引脚提供诊断反馈
- ESD保护
- 直接接入功率MOSFET的栅极 (模拟驱动)
- 兼容标准功率MOSFET
警告
静电敏感型设备, 在处理设备时请采取适当的保护措施。该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00195