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产品信息
制造商产品编号VNS3NV04DPTR-E
库存编号2762749
技术数据表
电源负载开关类型低压侧
通道数2放大器
输入电压-
电流极限5A
通电阻0.12ohm
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
热保护是
开/使能输入极性-
输出数2输出
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值150°C
合规-
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
汽车质量标准-
配电开关封装类型SOIC
产品概述
VNS3NV04DPTR-E 是一款汽车 OMNIFET II 全自动保护功率 MOSFET。它由两个单片芯片(OMNIFET II)组成,采用标准封装。OMNIFET II 采用意法半导体 VI Power M0-3 技术设计,用于在频率高达 50kHz 的直流应用中替代标准功率 MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
- 符合 AEC-Q100 标准,线性电流限制
- 热关断、短路保护、集成夹钳
- 输入引脚的电流非常低
- 通过输入引脚进行诊断反馈,ESD 保护
- 直接接入功率MOSFET的栅极 (模拟驱动)
- 兼容标准功率MOSFET
- 静态漏极-源极导通电阻最大值为 120 mohm(VIN = 5V;ID = 1.5A;Tj = 25°C)
- 漏极电流限制为 5A(典型值,VIN = 5V;VDS = 13V,-40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
- 漏极-源极箝位电压为 45V(典型值,VIN = 0V,ID = 1.5A,-40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
- SO-8封装,工作温度范围为-40°C至150°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有波动。产品不享受折扣。
技术规格
电源负载开关类型
低压侧
输入电压
-
通电阻
0.12ohm
针脚数
8引脚
开/使能输入极性
-
工作温度最小值
-40°C
合规
-
MSL
MSL 3 - 168小时
汽车质量标准
-
通道数
2放大器
电流极限
5A
IC 外壳 / 封装
SOIC
热保护
是
输出数
2输出
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
配电开关封装类型
SOIC
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000132