打印页面
TSM1NB60CP ROG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品概述
The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.
- Advanced planar process
- 100% Avalanche tested
- Low RDS (ON)
- Low CRSS
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
8ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
TSM1NB60CP ROG 的替代之选
找到 2 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001996