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CSD16301Q2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY2.250 (CNY2.5425) |
| 100+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
| 500+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 1000+ | CNY1.110 (CNY1.2543) |
| 5000+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
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产品信息
制造商产品编号CSD16301Q2
库存编号3125012
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续5A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型SON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压8V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散2.3W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The CSD16301Q2 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion and load management applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5A
晶体管封装类型
SON
Rds(on)测试电压
8V
功率耗散
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000112