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CSD19506KCS
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY44.770 (CNY50.5901) |
| 10+ | CNY37.100 (CNY41.923) |
| 50+ | CNY33.250 (CNY37.5725) |
| 100+ | CNY30.700 (CNY34.691) |
| 250+ | CNY29.980 (CNY33.8774) |
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004074