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CSD85301Q2T
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.023 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.330 (CNY12.8029) |
| 10+ | CNY7.580 (CNY8.5654) |
| 100+ | CNY7.000 (CNY7.910) |
| 500+ | CNY6.420 (CNY7.2546) |
| 1000+ | CNY5.840 (CNY6.5992) |
| 5000+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
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多件: 1
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产品信息
制造商产品编号CSD85301Q2T
库存编号3009682
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道5A
连续漏极电流 Id P沟道5A
漏源通态电阻N沟道0.023ohm
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
晶体管封装类型WSON
针脚数6引脚
耗散功率N沟道2.3W
耗散功率P沟道2.3W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The CSD85301Q2T is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source ON-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
- Low ON-resistance
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
2.3W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.023ohm
晶体管封装类型
WSON
耗散功率N沟道
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00006