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CSD86356Q5DT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
产品信息
制造商产品编号CSD86356Q5DT
库存编号2885447RL
产品范围NexFET Series
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds P沟道25V
电流, Id 连续40A
连续漏极电流 Id N沟道40A
在电阻RDS（上）0.0018ohm
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道1800µohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道1800µohm
阈值栅源电压最大值1.85V
晶体管封装类型SON
针脚数8引脚
功耗 Pd12W
耗散功率N沟道12W
耗散功率P沟道12W
工作温度最高值125°C
产品范围NexFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
连续漏极电流 Id P沟道
40A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1800µohm
晶体管封装类型
SON
功耗 Pd
12W
耗散功率P沟道
12W
产品范围
NexFET Series
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
40A
在电阻RDS（上）
0.0018ohm
漏源通态电阻N沟道
1800µohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.85V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
12W
工作温度最高值
125°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001