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CSD86356Q5DT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0018 ohm
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
在电阻RDS（上）
0.0018ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.85V
产品范围
NexFET Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
SON
功耗 Pd
12W
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.0001