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CSD86356Q5DT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0018 ohm
产品信息
制造商产品编号CSD86356Q5DT
库存编号2885447RL
产品范围NexFET Series
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续40A
在电阻RDS（上）0.0018ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型SON
阈值栅源电压最大值1.85V
功耗 Pd12W
产品范围NexFET Series
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
在电阻RDS（上）
0.0018ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.85V
产品范围
NexFET Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
SON
功耗 Pd
12W
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001