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CSD86356Q5DT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
产品信息
制造商产品编号CSD86356Q5DT
库存编号2885447
产品范围NexFET Series
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道40A
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道1800µohm
漏源导通电阻P沟道1800µohm
晶体管封装类型SON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道12W
耗散功率P沟道12W
工作温度最高值125°C
产品范围NexFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
40A
漏源导通电阻P沟道
1800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
12W
产品范围
NexFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
1800µohm
晶体管封装类型
SON
耗散功率N沟道
12W
工作温度最高值
125°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001