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产品信息
制造商产品编号TL081IDR
库存编号3005132RL
通道数1放大器
增益带宽积3MHz
典型压摆率13V/µs
电源电压范围7V 至 36V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
放大器类型高电压
轨至轨-
输入偏移电压3mV
输入偏置电流30pA
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
放大器封装类型SOIC
汽车质量标准-
带宽3MHz
放大器数量1个放大器
摆率13V/µs
产品概述
The TL081IDR is a single JFET-input Operational Amplifier incorporates well-matched, high-voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit. The device features high slew rates, low offset-voltage temperature coefficient, low input bias and offset currents.
- Wide common-mode and differential voltage ranges
- Output short-circuit protection
- High input impedance - JFET input stage
- Latch-up-free operation
- Common-mode input voltage range includes VCC+
- 1.4mA/channel Typical low power consumption
- 30pA Typical low input bias current
- 5pA Typical low input offset current
- 0.003% Typical low total harmonic distortion
- Green product and no Sb/Br
技术规格
通道数
1放大器
典型压摆率
13V/µs
IC 外壳 / 封装
SOIC
放大器类型
高电压
输入偏移电压
3mV
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
汽车质量标准
-
放大器数量
1个放大器
增益带宽积
3MHz
电源电压范围
7V 至 36V
针脚数
8引脚
轨至轨
-
输入偏置电流
30pA
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
放大器封装类型
SOIC
带宽
3MHz
摆率
13V/µs
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454