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UCC27519DBVT
IGBT/MOSFET驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 7ns延迟, SOT-23-5
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|---|---|
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| 50+ | CNY6.250 (CNY7.0625) |
| 100+ | CNY5.640 (CNY6.3732) |
| 250+ | CNY4.910 (CNY5.5483) |
| 500+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
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| 2500+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
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产品信息
制造商产品编号UCC27519DBVT
库存编号3005804
通道数1放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置低压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数5引脚
IC 外壳 / 封装SOT-23
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流4A
灌电流4A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值18V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值140°C
输入延迟8ns
输出延迟7ns
产品范围-
合规-
产品概述
UCC27519DBVT是一款单通道高速低压侧栅极驱动器件，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。它采用固有的最小化击穿电流的设计，可以向电容性负载提供源极和汇极高的峰值电流脉冲，提供轨至轨驱动能力和极小的传播延迟（通常为17ns）。它在VDD=12V时提供4A源、4A汇（对称驱动）的峰值驱动电流能力。它被设计为在4.5至18V的宽VDD范围和-40至140℃的宽温度范围内工作。VDD引脚上的内部欠压锁定（UVLO）电路可在VDD工作范围外保持输出低电平。在低电压水平（如低于5V）下工作的能力，以及一流的开关特性，特别适合于驱动新兴的宽带隙功率开关器件，如GaN功率半导体器件。
- 栅极驱动器件提供卓越的NPN和PNP分立解决方案的替代方案
- 在VDD-UVLO期间输出保持低电平（确保在上电和断电时无故障运行）
- CMOS输入逻辑阈值（带迟滞的电源电压函数）
- 迟滞逻辑阈值, 用于高噪声抑制
- 用于启用功能的EN引脚（允许无连接）
- 输入引脚浮动时, 输出保持低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平, 不受VDD引脚偏置电源电压限制
- 17ns典型的快速传播延迟
- 绿色产品, 无Sb/Br
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
低压侧
针脚数
5引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
8ns
产品范围
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOT-23
输入类型
非反向
灌电流
4A
电源电压最大值
18V
工作温度最高值
140°C
输出延迟
7ns
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318