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SSM6L56FE,LM(T
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 100+ | CNY0.660 (CNY0.7458) |
| 500+ | CNY0.604 (CNY0.6825) |
| 1000+ | CNY0.492 (CNY0.556) |
| 5000+ | CNY0.379 (CNY0.4283) |
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技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
800mA
漏源导通电阻P沟道
0.39ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
250mW
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.235ohm
晶体管封装类型
SOT-563
耗散功率N沟道
250mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.000003