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SSM6N37FU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 10+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 100+ | CNY0.630 (CNY0.7119) |
| 500+ | CNY0.524 (CNY0.5921) |
| 1000+ | CNY0.418 (CNY0.4723) |
| 5000+ | CNY0.350 (CNY0.3955) |
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N37FU,LF(T
库存编号4381048
产品范围U-MOSIII Series
也称为SSM6N37FU, SSM6N37FU,LF
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道250mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道2.2ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围U-MOSIII Series
合规-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
U-MOSIII Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
250mA
漏源通态电阻N沟道
2.2ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007