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SSM6N44FE,LM(T
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N44FE,LM(T
库存编号3872305RL
也称为SSM6N44FE ,SSM6N44FE,LM
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续100mA
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）2.2ohm
连续漏极电流 Id N沟道100mA
连续漏极电流 Id P沟道100mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道2.2ohm
漏源导通电阻P沟道2.2ohm
Rds(on)测试电压4V
晶体管封装类型SOT-563
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数6引脚
功耗 Pd150mW
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
100mA
在电阻RDS（上）
2.2ohm
连续漏极电流 Id P沟道
100mA
漏源通态电阻N沟道
2.2ohm
Rds(on)测试电压
4V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
150mW
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
100mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
2.2ohm
晶体管封装类型
SOT-563
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001