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SSM6N57NU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N57NU,LF(T
库存编号3872306RL
也称为SSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
晶体管封装类型SOT-1118
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd1W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4A
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.03ohm
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-1118
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001