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10+ | CNY13.020 (CNY14.7126) |
50+ | CNY12.230 (CNY13.8199) |
100+ | CNY11.440 (CNY12.9272) |
250+ | CNY10.760 (CNY12.1588) |
500+ | CNY9.110 (CNY10.2943) |
1000+ | CNY8.180 (CNY9.2434) |
2500+ | CNY8.020 (CNY9.0626) |
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TBD62308AFG(Z,EL)
库存编号4178771
也称为TBD62308AFG, TBD62308AFG(Z
技术数据表
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
输出数4输出
输出电压50V
输出电流1.5A
驱动器封装类型HSOP
产品范围-
产品概述
TBD62308AFG(Z,EL) is a BiCD silicon monolithic integrated circuit. It has a clamp diode for switching inductive loads built-in in each output.
- 4 channel low active high current sink type DMOS transistor array
- High voltage is 50V (max, Ta = 25°C), high current is 1.5mA/ch (max, Ta = 25°C)
- Input voltage range from 0 to VCC-3.5V (output on, IOUT=100mA or upper, VOUT=2V, Ta = -40 to 85°C)
- COMMON pin voltage is 50V (max, Ta = -40 to 85°C)
- Output leakage current is 1.0μA (max, VIN = VCC, VOUT = 50Vm, Ta = 85°C)
- Clamp diode forward current is 1.25A at Ta = −40 to 85°C
- Turn on delay is 1.0μs (typ, VOUT = 50V, RL = 42ohm, CL = 15pF, VCC = 5.0V)
- Turn off delay is 2.0μs (typ, VOUT = 50V, RL = 42ohm, CL = 15pF, VCC = 5.0V)
- HSOP16-P-300-1.00 package, operating temperature range from -40 to 85°C
注释
Please be careful about thermal conditions during use.
技术规格
电源电压最小值
4.5V
输出数
4输出
输出电流
1.5A
产品范围
-
电源电压最大值
5.5V
输出电压
50V
驱动器封装类型
HSOP
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0005