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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 10+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 100+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 500+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
| 1000+ | CNY0.980 (CNY1.1074) |
包装规格:每个
最低: 5
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品項附註
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产品概述
TLP291 consists of photo transistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode.
技术规格
通道数
1通道
针脚数
4引脚
隔离电压
3.75kV
集电极发射电压, Vceo
80V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (19-Jan-2021)
光电耦合器封装类型
SOIC
正向电流 If 最大值
50mA
电流转换率 最小
100%
产品范围
TLP291
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001