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TPN12008QM,L1Q(M
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.860 (CNY10.0118) |
| 10+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 100+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 500+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 1000+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
| 5000+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
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产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号TPN12008QM,L1Q(M
库存编号4173226
产品范围U-MOSX-H Series
也称为TPN12008QM, TPN12008QM,L1Q
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻9600µohm
晶体管封装类型TSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散86W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围U-MOSX-H Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
TSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
86W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
9600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
U-MOSX-H Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003