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TPN2010FNH,L1Q(M
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.630 (CNY9.7519) |
| 10+ | CNY6.670 (CNY7.5371) |
| 25+ | CNY5.220 (CNY5.8986) |
| 50+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
| 100+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 250+ | CNY4.380 (CNY4.9494) |
| 1000+ | CNY3.690 (CNY4.1697) |
| 3000+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY43.15 (CNY48.76 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9.9A
晶体管封装类型
TSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.198ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.000001